陈星弼

1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作，1980年美国俄亥俄州大学作访问学者，1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电气工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。

他在半导体器件方面有著作六部，作为唯一或第一作者发表论文四十多篇。 他从1981年起开始半导体功率器件的研究，第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。他近年来提出了两类纵向导电的器件新耐压结构，获批准的美国发明专利四项，中国发明专利三项，并且作了唯一的三维电场分析结果。国外称这是功率器件的新里程碑。这个结构大大突破了功率器件中比导通电阻Ron与耐压VB的极限关系。他本人还获得美国3D公司奖章及授奖说明。由他发明的MOS类器件由外国公司制造，已在市场上销售。他的专利被180多项美国发明专利所引用，专利及相关论文有50次以上它引，已从三项美国专利及二项中国专利中获转让费四十余万美元。他又提出了最佳表面横向变掺杂的理论及与CMOS/BiCMOS工艺兼容的横向（表面）功率器件的新结构，获美国发明专利两项及中国发明专利两项。利用这种结构，可以不采用BCD技术，而只采用最通常的集成电路工艺，就可研制出电学性能比现有技术更好的高压（及功率）器件。实验证明了此功率器件无论在击穿电压、电流密度、开关时间及导通电阻上，均优于现有的横向器件。而且还可以用最小面积同时研制出高侧及低侧功率器件以及推动高侧器件的“盆”。部级鉴定结论为“性能属国际领先，结构属国际首创”。其发明专利已应用于某公司的一产品中。 他还在功率集成电路中利用高K材料制作功率器件，并获得一项美国专利（U.S.6936907）和三项中国专利（ZL01141993；ZL01139957；ZL02142183.8）。 以上均属于半导体器件中较为基础性的创新。陈院士的这些发明突破了历来耐压区（或称漂移区）的做法，它可用于各类器件，也适用于各种材料，有极大的应用领域及价值。

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