4月9日，陕西省人民政府发布《陕西省人民政府关于2023年度陕西省科学技术奖励的决定》，西安紫光国芯SeDRAM® 技术成果“三维异质集成高带宽低功耗动态随机存储器芯片关键技术及应用”荣获陕西省科学技术进步奖二等奖。

      陕西省科学技术奖涵盖了自然科学、技术发明和科学技术进步等多个方面，旨在对取得重要创新突破、重大应用成果，以及技术成果产生巨大社会和经济效益的优秀项目予以表彰。在此次评选中，西安紫光国芯自主研发的“三维异质集成高带宽低功耗动态随机存储器芯片关键技术及应用”在千余项参评成果中脱颖而出，成为少数几个完全由企业自主研发的获奖项目之一。

      针对当前计算体系架构中普遍存在的处理器与存储器性能不平衡的“存储墙”困境，西安紫光国芯创新性地提出了一种三维异质集成DRAM架构。该架构显著提高了访存带宽，降低了单位比特能耗，使得访存效率获得大幅提升，为海量数据搬运速度慢、搬运能耗大的性能瓶颈提供了领先的解决方案。

      同时，西安紫光国芯提出的规范化芯片设计流程，有效解决了三维异质集成领域中系统、电路与封装协同设计的难题。围绕该技术成果，公司已布局了超百项相关专利，并取得了累计超十亿的经济效益。此外，由业界权威专家组成的成果评价委员会对该技术的先进性和创新性给予了高度评价，并一致认为该技术“整体达到国际先进水平，为国产化高性能计算芯片的发展提供了新思路”。

      目前，西安紫光国芯SeDRAM技术已实现产品化、规模化应用，在大带宽、高算力等领域表现出显著的竞争优势，并受到产业界广泛关注。

      项目团队负责人、西安紫光国芯总经理江喜平表示，“西安紫光国芯将凭借其丰富的技术积累和资源优势，进一步发挥SeDRAM架构大带宽和低功耗的核心优势，不断推出更先进的产品和技术解决方案，深入挖掘并探索该技术在人工智能等前沿领域中的创新性应用场景，为集成电路行业发展提供坚实的技术支持和推动力”。