IGBT全产业链，覆盖了从硅料-硅锭-单晶硅片-IGBT芯片-IGBT模块-半导体分立器件-逆变器／变频器／电机／电子元器件等，到太阳能发电／风电／高铁／轨道交通／电动汽车／智能电网应用的全过程。

从IGBT全产业链分析，上游涉及硅料（原生多晶硅料和单晶硅回用料）、半导体硅片生产、晶圆加工等企业；IGBT生产包括IDM 、设计、芯片制造和模块企业；下游则有逆变器、换流阀、变流器、变频器、电机等生产企业，以及风力发电、太阳能发电、高铁及轨道交通、电动汽车和智能电网等各应用企业。

与此同时，在各生产环节中，涉及大量专用设备，如晶圆减薄机、离子注入机、晶圆切割机、激光退火炉以及检测设备等各类设备制造。

上游：硅晶圆产业几乎由国外厂商垄断

目前主流半导体硅片市场的全球寡头垄断已经形成，日本、台湾、德国和韩国等资本控制的六大硅片公司——信越化学、SUMO、环球晶圆、Siltronic、LGSiltron、Soitec的销量超过 90%。信越化学是全球最大的半导体硅片供应商，SUMCO 公司紧随其后。

生产设备：关键生产设备国外进口为主

从单晶硅炉分析，以德、美、日供应商为主，虽然国产设备已经覆盖各主要环节，但在质量和精度方面仍有较大差距。因此，目前国内单晶硅厂商基本采用进口的生产设备。

国际IGBT器件市场：市场成熟，集中度高

国外研发IGBT器件的公司主要有Infineon（英飞凌）、ABB、（Mitsubishi）三菱、Semikron（西门康，赛米控）、日立、富士、TOSHIBA（东芝）、艾赛斯（IXYS）等，其IGBT技术基本成熟， IGBT产品电压规格涵盖600V-6500V，电流规格涵盖2A-3600A，形成了完善的IGBT产品系列。

其中，在1700V及以下电压等级的消费级IGBT领域，西门康（Semikron，赛米控）、仙童(Fairchild，飞兆)等企业处于优势地位；在1700V-6500V电压等级的工业级IGBT领域，ABB、英飞凌（Infineon）、三菱占绝对优势；3300V以上电压等级的高压IGBT技术更是英飞凌、ABB、三菱三家独大。

国内IGBT市场：本土企业迎头追赶，仍需努力

在中国大陆IGBT市场中，英飞凌、三菱、Fuji、ABB、仙童、IR等外资企业份额超过50%。英飞凌1995年以西门子半导体事业部的“身份”正式进入中国市场，在中国的业务迅速发展，IGBT模块在中国工业应用领域的市场份额遥居首位。

我国受高铁、新能源等领域的需求拉动，具有自主知识产权、本土化的IGBT产业链在不断完善，目前我国中低压等级IGBT已实现产业化。2016年底中车株洲自主研发的8英寸IGBT产品，成功中标印度机车市场，是我国IGBT走向国际舞台的重要标志。

本土IGBT产业：在困境中成长

目前国内IGBT厂商所面临的市场环境仍然十分严峻。一方面，国际巨头在各电压等级均拥有成熟的产品系列，国内厂商需要应对激烈的市场竞争环境。另一方面，在研发和技术上国内外的差距大，国际巨头经过几十年的技术积累，在相关工艺技术及设备已经有较强的先发垄断技术优势。工艺技术上，比如芯片的减薄工艺、背面工艺等，模块封装技术等；关键的生产设备，如真空焊接机、表面喷砂设备、检测设备等。再者，目前用户对国产器件的认可度不高，国内厂商需要不断提高用户对国产器件的认可度。

工业强基是制造强国的支撑，IGBT是工业强基十六条龙之一。“四基”——核心基础零部件（元器件）、关键基础材料、先进基础工艺、产业技术基础，对IGBT产业链相关环节的支持仍在进行，并不断深化。“工业强基龙之芯——IGBT一条龙”应用计划更是值得期待。