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当前位置:首页 > 新闻资讯 > 高性能活性金属化焊接(AMB)基板 成功通过科技成果评价
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供稿:中关村中慧先进制造产业联盟 | 2021-11-08
2021年3月22日,依据《中华人民共和国科学技术进步法》《中华人民共和国促进科技成果转化法》《科学技术评价办法》《科技评估管理暂行办法》,北京中关村中慧先进制造产业联盟在北京组织召开由合肥圣达电子科技有限公司自主研发的高性能活性金属化焊接(AMB)基板科技成果评价会。
评价机构严格秉承着科学、客观、公正、独立的原则,聘请中国工程院院士,清华大学材料学院教授周济,中国企业联合会,中国企业家协会常务副会长兼理事长朱宏任、北京华虹集成电路设计有限责任公司总工程师李云岗、北京工业大学电子信息与控制工程学院副院长,冯士维教授、北京大学微电子研究院副院长郝一龙、国家电网智能电网研究院总工程师温家良、北京大学信息科学技术学院教授高成臣等7位同行专家,组成评价委员会,对该项科技成果进行了评价。评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告,对评价资料进行了审查,经严格质询和充分讨论形成了评价意见。
该项目的主要目的是通过对AMB基板制备过程中印制、焊接、蚀刻、镀覆和氮化硅基板制备过程中流延、排胶、烧结等关键技术的研究,实现高性能AMB基板剥离强度、孔洞率、线条精度、温循和氮化硅基板热导率、抗弯强度、翘曲度、表面粗糙度等关键技术指标的突破,制备出具有国际先进水平的高性能AMB基板和氮化硅基板。打破国外对此类产品的技术与市场垄断,满足国内大功率电子器件对AMB基板的需求,促进我国陶瓷覆铜板产品发展,助推我国大功率器件发展。
主要研究内容:
1、AMB活性焊料的制备
2、AMB印制工艺研究
3、AMB焊接
4、AMB基板化学蚀刻
5、AMB基板化学镀
6、AMB基板激光划片
主要创新点:
1、采用两种不同粒径的氮化硅粉体,通过加入MgO-Y2O3二元烧结助剂,采用气压烧结工艺,提高了氮化硅陶瓷的致密性;通过控制坯体碳残留可纯化晶界,提升了氮化硅热导率;
2、提出了采用纳米Ag粉、微米级Cu粉及Ti粉制备出适合AMB基板的Ag-Cu-Ti活性焊料方法,并开发了一种特殊的纳米银分散技术,有效降低了AMB基板孔洞率和热阻;
3、研制出具有选择性蚀刻Ag、Ti的腐蚀液,突破了精细线条蚀刻关键技术,解决了活性焊料层蚀刻不均匀和焊料残留等难题,制备出了0.3mm厚铜、最小线间距仅为0.45mm的AMB基板。
评价委员会一致同意通过科技成果评价,认为该产品具有自主知识产权,技术水平达到国际先进,经济、社会效益显著,应用前景广阔。建议:加大推广力度,满足市场需求。
合肥圣达电子科技实业有限公司成立于1993年11月18日,注册地位于安徽省合肥市高新区香樟大道206号西5幢西8幢,法定代表人为鲁加国。经营范围包括金属外壳、陶瓷外壳、电子材料、元器件、电路、电子模块的研制、生产、贸易;技术咨询、技术服务、电子设备、仪器;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家法律法规限定或禁止的商品和技术除外)。合肥圣达电子科技实业有限公司对外投资1家公司。