碳化硅单晶衬底
成果标签：单晶衬底、高纯碳化硅粉料、碳化硅粉料合成粒度、5G 基站、卫星雷达、电子对抗
应用场景：
4—6 英寸高纯半绝缘 4H-SiC 单晶衬底：
5G 基站、卫星雷达、电子对抗等领域。6 英寸 N 型 4H-SiC 单晶衬底：新能源汽车、轨道交通、特高压、光伏逆变器等领域。
- 成果水平：
- 应用阶段：可以量产
- 创新形式：新材料
- 合作方式：
- 成果属性：原始创新
- 交易状态：未交易
- 所 在 地：天津市
- 交易价格：面议
所属企业：
中电科半导体材料有限公司
