顾长志   男，1964年6月生，1997年于吉林大学获理学博士学位。1997-2001年在德国夫琅和费（Fraunhofer）研究所、柏林自由大学物理系从事合作研究。现任中国科学院物理研究所技术部主任、微加工实验室主任、研究员、博士生导师。
研究方向
信息功能薄膜（宽带隙与导电薄膜等）的制备、物性及亚微米/纳米尺度的人工结构制作与器件物性研究。
获得成果
在薄膜材料的制备、特性和应用方面的研究中作出了一些有影响的创新成果。将金属酞青和卟啉LB膜沉积到场效应晶体管上，制备出高灵敏度和稳定性的气体和湿度传感器；系统研究了影响金刚石薄膜热导率特性的主要因素，制备出高导热的金刚石膜，并实现了在大功率半导体器件上的应用。采用两种新方法制备出SOD（silicon on diamond）材料，研制出SOD抗辐射、耐高温集成电路；发现了氢离子轰击金刚石核对晶粒取向和大面积均匀生长纳米金刚石膜的作用。开展了薄膜材料的人工微结构与器件的研究工作。国内外刊物上发表论文100余篇，获发明专利7项，国家级鉴定验收成果6项。1996年获吉林省青年科技奖，2000年获教育部“跨世纪人” 才称号。2001年入选中科院百人计划。
研究课题
研究项目有：国家“863”项目“高质量金刚石膜及电子学应用研究”（课题组长）、国家“973”项目“材料在纳米尺度的原位测量”（主要参加者）和国家自然科学基金委员会创新研究群体科学基金“轻元素极限功能薄膜材料的外延生长与反生长微观机理和原子尺度上的控制的研究”（参加者）和基金委面上基金等。主要从事宽带隙薄膜的定向生长，电子学等特性研究，场发射、微/纳电子与敏感器件研制等，及薄膜材料在亚微米/纳米尺度人工结构与器件研究，在多功能信息薄膜材料与器件的国际前沿领域开展工作。

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